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FET,MOSFET - 单个

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IPD06P002NSAUMA1

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
OptiMOS™
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
38 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
63nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2500pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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参考库存:11951
FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:54218
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