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FET,MOSFET - 单个

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TSM480P06CI C0G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
48 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
22.4nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1250pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
27W(Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
ITO-220
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 300V 5.4A TO-220
暂无价格
参考库存:46754
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
暂无价格
参考库存:46762
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
暂无价格
参考库存:46770
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK
暂无价格
参考库存:46778
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
暂无价格
参考库存:46786
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