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FET,MOSFET - 单个
SI1480DH-T1-GE3参考图片

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SI1480DH-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
200 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
130pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta),2.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-70-6(SOT-363)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
商品其它信息
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FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:31588
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