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UGBT、MOSFET - 单
FGB20N6S2参考图片

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FGB20N6S2

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 28A 125W TO263AB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
28A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
40A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.7V @ 15V,7A
功率 - 最大值
125W
开关能量
25µJ(开),58µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
30nC
25°C 时 Td(开/关)值
7.7ns/87ns
测试条件
390V,7A,25 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
390V,7A,25 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
暂无价格
参考库存:50217
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
暂无价格
参考库存:50225
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
暂无价格
参考库存:50233
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 245W TO247
暂无价格
参考库存:50241
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
暂无价格
参考库存:50249
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