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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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EMB4T2R

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
100 @ 1mA,5V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
EMT6
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
暂无价格
参考库存:43165
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
暂无价格
参考库存:43173
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
暂无价格
参考库存:43221
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
暂无价格
参考库存:43229
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
暂无价格
参考库存:43237
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